致力於第三代半導體襯底技術，同光晶體完成A輪融資
（）12月4日消息，河北同光晶體有限公司（簡稱“同光晶體”）完成A輪融資，本輪由國投創業投資，將助力公司實現淶源基地6英寸碳化硅襯底項目快速擴產和現有產品優化提升。
據了解，自2012年成立以來，同光晶體致力於第三代半導體碳化硅單晶襯底製備技術的自主研發與創新，已建成粉料合成、晶體生長、切割加工、晶體檢測的完整產線，年產4-6英寸碳化硅襯底數萬片，是國際上少數同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底製備技術的企業。
同光晶體將高品質碳化硅單晶襯底成功應用到我國5G基站建設中，打破了行業壁壘，加速實現國產替代。公司的4英寸高純半絕緣型碳化硅襯底主要用於製造高端射頻芯片，其各項技術指標均達到國際水平；在導電型襯底方面，同光晶體取得工程化關鍵技術突破，其6英寸產品滿足電力电子器件的各方面技術要求，已具備批量生產條件，並在知名客戶處形成應用。
國投創業方面表示：“伴隨5G、電動汽車等行業的發展，碳化硅行業相關企業將迎來快速成長機會。同光晶體在第三代半導體襯底領域擁有豐富的技術積累及人才儲備，有助於加快國產化替代，具有良好的市場前景。國投創業從國家創新戰略和科技成果轉化邏輯出發，重點關注5G、新能源等新基建領域投資機遇，緊扣國家重大科技項目主線，堅持“自上而下、自難而易”布局上游企業，並充分發揮資本紐帶和產業聚合效應，持續優化產業鏈生態，助力我國第三代半導體行業進一步提升綜合競爭力。”
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